檢索結果:共5筆資料 檢索策略: "diode".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="二硫化鉬"
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本論文使用化學氣相傳導法(Chemical vapor transport, CVT)成長二硫化鉬(Molybdenum disulfide, MoS2)以及二硒化鎢(Tungsten disele…
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現今,二維原子級薄膜奈米材料的結合是相當重要的發展趨勢,特別是二維材料的異質接面更是目前新興發展重點。本計畫致力於將同為二維材料的石墨烯與過渡金屬硫化物做異質接面的結合並深入探討其接面特性,應用於二…
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二維材料,像是石墨烯和過渡金屬硫屬化合物已成為現今電子和光電應用中的重要趨勢。石墨烯是目前宇宙中已知最薄和高機械強度的物質。它具有高電子遷移率,零有效質量,高透光率和高電導率等許多優良的特性。石墨烯…
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本論文利用化學氣相沉積法成長大面積的n型二硫化鉬,透過拉曼光譜儀、光激發螢光與原子力顯微鏡進行分析,結果顯示此二硫化鉬薄膜為單層直接能隙的半導體. 然而氧電漿處理為最直接且能有效的改變二硫化鉬半…
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本論文成功利用化學氣相傳導法合成高品質二硫化鉬 (Molybdenum disulfide, MoS2)晶體,利用機械剝離法取得厚度控制在3-5 μm之MoS2薄片。透過氧電漿處理,經電荷中性點確認…